IBM: niesamowita fabryka miniaturowych półprzewodników
IBM uroczyście otworzył nową fabrykę miniaturowych półprzewodników, które mają być najbardziej zaawansowane technologicznie w tej kategorii produktów. Półprzewodniki będą produkowane w najbardziej efektywnej metodzie produkcji - produkcji chipów w dużych płatach krzemowych o średnicy 300 mm. W ceremonii wzięli udział gubernator Stanu Nowy Jork George Pataki oraz prezes IBM Sam Palmisano.
06.08.2002 | aktual.: 06.08.2002 18:52
Nowy zakład produkcyjny jest ważnym uzupełnieniem działalności biznesowej firmy IBM w zakresie mikroelektroniki. Został zaprojektowany by zaspokoić stale rosnące oczekiwania w zakresie technologii - zarówno tej najbardziej zaawansowanej, jak też standardowych podzespołów mikroelektronicznych.
W nowoczesnym budynku mieszczącym zarówno dział badawczy, jak również produkcyjny ruszyły już prace nad prototypem nowego półprzewodnika, a rozpoczęcie produkcji spodziewane jest pod koniec bieżącego roku.
Fabryka nowych 300mm półprzewodników ma również odgrywać ważną rolę w trwającej współpracy pomiędzy IBM a Stanem Nowy Jork oraz głównymi uniwersytetami nowojorskimi - wzmacniając pozycję tego regionu jako centrum wysoko zaawansowanych technologii, innowacji i miejsca skupiającego ważne inwestycje.
Nowy zakład IBM wykorzystuje takie unikalne technologie produkcyjne jak technologia miedziana oraz SOI - bazujące na krzemowych izolatorach tranzystory i ulepszona technologia izolacyjności ("low - kdielectric"). Zakład został tak zaprojektowany, by umożliwić produkcję półprzewodników o wielkości płytki montażowej mniejszej niż 100 nanometrów (nanometr - miliardowa część 1 metra). Pojedynczy płat krzemowy o wymiarze 300 mm zawiera 50 miliardów tranzystorów, a produkowane tą metodą półprzewodniki będą posiadać strukturę o rozmiarach porównywalnych z wirusami lub DNA.
Fabryka zajmuje powierzchnię 13000 metrów kwadratowych, do jej okablowania zużyto 950 km instalacji, a linią produkcyjną steruje system 1700 procesorów (każdy o prędkości 1 GHz) o łącznej pojemności pamięci 110 terabajtów. (eRPe)
