Koreańczycy opracowali szybsze pamięci dla telefonów

Nowy układ pracuje z częstotliwością 200MHz i przetwarza dane z szybkością 1,6 GB/s, co w zestawieniu z podobnymi produktami stanowi 150 procent.

Nośnik posiada wymiary 8x10 mm, co pozwala umieścić go na pozycji lidera w dziedzinie miniaturyzacji tego typu układów. Produkt jest opracowany z myślą o telefonach komórkowych trzeciej generacji, w których różnorodność aplikacji multimedialnych wymaga większej sprawności działania poszczególnych elementów konstrukcyjnych.

Firma Hynix zapowiada wprowadzenie na rynek również hybrydy nośników DRAM i NAND o pojemności 512 Mb, przeznaczonej do wyjątkowo cienkich telefonów. Źródło: Forbes