Flash killer - cała prawda o pamięci PRAM
Konsorcjum firm na czele z IBM opracowało nową technologię pamięci, która ma duże szanse w przyszłości zastąpić tradycyjne pamięci flash, a nawet dyski twarde. Pamięć PRAM ma być 500 razy szybsza niż flash, zużywać od niej dwa razy mniej energii i być o wiele trwalsza. Dodatkowo będzie ją można produkować w najnowszych procesach technologicznych, co oznacza osiągnięcie nowych poziomów miniaturyzacji, a co za tym idzie umożliwi produkcję urządzeń przenośnych ( odtwarzaczy MP3, pamięci pendrive, itp ) jeszcze mniejszych niż obecnie.
IBM opracował nową technologię i zaprezentował gotowe prototypy nowych modułów pamięci wraz z niemiecką firmą Quimonda AG ( firma wywodząca się z koncernu Infineon ) i tajwańskim koncernem Micronix International.
Nowe pamięci to moduły PRAM ( pamięć typu "phase-change" ), pamięć nieulotna, czyli taka, która podobnie jak flash, po zaniku zasilania pozwala na przechowywanie danych. Materiał charakteryzuje się tym, że może zmieniać swoją strukturę ze stanu amorficznego w stan krystaliczny. Zmiana stanu materiału następuje w wyniku przepływu elektronów.
Podobne ale inne
Różnice technologiczne pomiędzy obiema technologiami są jednak spore. W pamięci PRAM obwody elektroniczne mają dużo mniejsze rozmiary niż w pamięciach flash ( ok. 3 na 20 nm ). Rezultaty te były możliwe do uzyskania dzięki opracowaniu i zastosowaniu nowego materiału półprzewodnikowego GeSc ( germanium-antimony semi-conductor alloy ) którego głównym składnikiem jest specjalny stop germanu. Już teraz konsorcjum złożyło wniosek o ochronę patentową nowego materiału.
Standardowe pamięci komputerowe zmieniają swój stan z zer na jedynki i odwrotnie. W przypadku technologii PRAM informację taką ( zero lub jedynka ) reprezentuje stan materiału. Stan amorficzny reprezentuje zero, a stan krystaliczny jedynkę.
Pamięć PRAM ma kilka zalet w porównaniu z pamięcią błyskową. Główna z nich to niezawodność pracy. Poza tym pamięć PRAM pracuje dużo szybciej. Jest to możliwe dzięki temu, że materiał zmienia swój stan bez używania pływających bramek.
Pamięć błyskowa stosuje pływające bramki do magazynowania elektronów, które reprezentują binarne dane. W technologii PRAM pływające bramki zostały zastąpione opornikami.
W pamięci błyskowej jeden stan binarny reprezentuje ponad tysiąc elektronów. W pamięci PCM to nie elektrony, ale oporność materiału reprezentuje binarne dane. Zależnie od oporności materiału ( czyli jego stanu ) mamy do czynienia z jedynką albo z zerem.
Małe, mniejsze, najmniejsze
Jedną z najistotniejszych zalet nowych pamięci jest możliwość ich produkcji w nowoczesnych procesach technologicznych. Powszechnie wiadomo, że produkcja coraz mniejszych układów powoduje napotkanie problemu w postaci wycieków energii, a co za tym idzie niemożność przechowywania danych przy braku zasilania. Inżynierowie twierdzą, że najnowocześniejszy proces technologiczny jaki będzie można zastosować w przypadku tradycyjnych pamięci flash to 45 nm. Taki zostanie wprowadzony zapewne dopiero za kilka lat, lecz już dziś wiadomo, że pamięci PRAM będzie można wytwarzać nawet w 22 nm. Pozostaje nam tylko czekać na zakończenie testów nowych technologii i mieć nadzieję, że IBM nie spocznie na laurach i rozreklamuje swe ciekawe rozwiązanie wśród producentów pamięci. Od sukcesu marketingowego zależy bowiem sukces bądź porażka następcy flash.