Nowe, szybkie pamięci DRAM
Koreańska firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nową pamięć DRAM ( Dynamic Random Access Memory ). Firma twierdzi, że układ, który przeznaczony jest głównie na rynek telefonów komórkowych, jest najmniejszym i najszybszym tego typu rozwiązaniem na świecie.
Nowy chip to niewielka płytka ( o wymiarach osiem na dziesięć milimetrów ), która dysponuje pojemnością 512 megabitów ( 64 MB ). "Nowy produkt oferuje pojemność oraz szybkość niezbędną dla telefonów komórkowych trzeciej generacji, korzystających z usług takich jak DMB ( Digital Media Broadcast )" - czytamy w oficjalnej informacji prasowej.
Hynix DRAM (200 MHz) Układ - jak twierdzi producent - daleko w tyle pozostawia konkurencyjne rozwiązania. Pracuje on z prędkością 200 MHz i oferuje wydajność na poziomie 1,6 GB danych na sekundę. Przedstawiciele firmy ujawnili również plany dotyczące połączenia nowych chipów DRAM z pamięciami NAND Flash i stworzeniu układów typu MCP ( Multi-Chip Package ), mających umożliwić projektowanie telefonów o wyjątkowo małej grubości.
Więcej informacji. - http://www.hynix.com/allnews/eng/preng_readb.jsp?news_date=2006-12-04:09:06:20