110 GHz w tranzystorze
Naukowcy ze School of Electronics and Computer Science stworzyli tranzystor, który jest dwukrotnie szybszy niż dostępne na rynku urządzenia. Potrafi on działać z częstotliwością dochodzącą do 110 GHz.
Elektronika w telefonach komórkowych bardzo często musi pracować z częstotliwościami stanowiącymi wielokrotność wymuszaną przez sieć operatora ( 900/1800/1900 MHz ). Najszybsze współcześnie wykorzystywane tranzystory są taktowane zegarami 50-60 GHz, nie licząc oczywiście eksperymentalnych projektów IBM - http://www.idg.pl/news/94895.html, które do poprawnej pracy potrzebują temperatury bliskiej zeru absolutnemu.
W nowych materiałach dzięki użyciu związków fluoru na etapie domieszkowania półprzedowników, udało się osiągnąć dwukrotnie wyższą częstotliwość pracy kosztem niewielkich nakładów finansowych. Pierwsze eksperymenty zatrzymywały się w pobliżu 50 GHz i dopiero dzięki dalszym udoskonaleniom osiągnięto 110 GHz.
Dodatkowe informacje: 110GHz fT Silicon Bipolar Transistors Implemented using Fluorine Implantation for Boron Diffusion Suppression - http://eprints.ecs.soton.ac.uk/12112/ ( witryna w języku angielskim )