32‑gigabitowe pamięci flash Samsunga
Południowokoreańska firma zaprezentowała swoje pierwsze 32-gigabitowe układy pamięci NAND flash, wykonane w procesie technologicznym 40 nm. Opracowane w ten sposób układy mogą zostać wykorzystane w kartach pamięci zdolnych do zmagazynowania nawet 64 GB danych.
Nowy układ, noszący nazwę SoC ( system-on-chip ), trafi do masowej produkcji w listopadzie tego roku. Koncern, który swego czasu zaadoptował słynne prawo Moore'a - http://www.pcworld.pl/news/77678.html, zapowiadając, że co 12 miesięcy będzie produkował układy flash o pojemności dwukrotnie większej w stosunku do poprzedniej generacji, zaprezentował również nową technologię projektowania chipów pamięci flash o nazwie Charge Trap Flash ( CTF ). Ma ona umożliwić produkcję układów o pojemności 256 Gb w procesie technologicznym 20 nm.
Więcej informacji: Samsung - http://www.samsung.com
